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光刻工藝
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刻蝕工藝
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PDMS工藝
TSV通孔
其他工藝

光刻是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟,利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫器件結構,再通過刻蝕工藝將掩膜上的圖形轉換到襯底上。原位芯片目前掌握電子束光刻,步進式光刻,接觸式光刻等多種光刻技術.

技術應用


光刻技術主要應用于半導體器件,集成電路制造過程中。

工藝能力


 電子束光刻:最小線寬50nm,精度可達10%。  步進式光刻:stepper i7/i10/i12,最小線寬350nm,曝光誤差±0.1um,最大曝光面積6英寸。  接觸、接近式光刻:MA6/BA6光刻機,最小線寬1um,曝光誤差±0.5um

我們的優勢


 根據客戶需求,定制最具性價比光刻方案  精度高,線寬小  襯底尺寸范圍1cm至6英寸  圖形保真度高